买卖IC网 >> 产品目录 >> TPC8A01(TE12L,Q) MOSFET PW TR with SBD 30v 8.6A 1.5W 11mOhms datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

TPC8A01(TE12L,Q)

库存数量:453
制造商:Toshiba
描述:MOSFET PW TR with SBD 30v 8.6A 1.5W 11mOhms
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET PW TR with SBD 30v 8.6A 1.5W 11mOhms
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制造商 Toshiba
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 6 A, 8.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.025 Ohms
配置 Dual Dual Drain
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOP-8
封装 Reel
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  • TPC8A01(TE12L,Q) 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.49 1.49
    10 1.188 11.88
    100 0.8979999 89.8
    250 0.838 209.5